APT40N60JCU2

APT40N60JCU2

Сообщить об ошибке

Маркировка

APT40N60JCU2

Описание

MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227

Производитель

Microsemi Power Products Group

Сообщить об ошибке

Характеристики APT40N60JCU2

Серия

-
Производитель

Microsemi Power Products Group
FET Type

MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature

Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)

600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C

40A
Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs

259nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds

7015pF @ 25V
Power - Max

290W
Исполнение / Корпус

SOT-227, miniBLOC
Упаковка

Bulk

Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.

Всё для радиолюбителя

Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.