SI3973DV-T1-GE3

SI3973DV-T1-GE3 datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SI3973DV-T1-GE3 datasheet

Маркировка

SI3973DV-T1-GE3
Производитель

Siliconix
Описание

Siliconix SI3973DV-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 12 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 2.4 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.087 Ohms Configuration: Dual Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 830 mW Part # Aliases: SI3973DV-GE3
Количество страниц

6 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI3973DV-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 108,72 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

SI3973DV-T1-GE3Онлайн Компоненты

SI3973DV-T1-GE3ЭИК

SI3973DV-T1-GE3ТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Электрофорум - Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

Электрофорум

Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

electroforum.su

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.